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मेमोरी में सुधार इलेक्ट्रोड ऐरे ब्रेन इम्प्लांट्स के साथ संभव है

मेमोरी में सुधार इलेक्ट्रोड ऐरे ब्रेन इम्प्लांट्स के साथ संभव है


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[छवि स्रोत: DARPA, समाचार]

सितंबर 2015 में, डिफेंस एडवांस्ड रिसर्च प्रोजेक्ट्स एजेंसी (DARPA) ने उनके प्रारंभिक निष्कर्षों पर चर्चा की जो दर्दनाक मस्तिष्क की चोट (TBI) या अन्य मस्तिष्क विकृति के साथ रहने वाले व्यक्तियों के लिए और संभावित उपचार की गहन समझ के लिए अनुमति दे सकते हैं। आज इन व्यक्तियों के पास अपनी न्यूरोलॉजिकल स्थितियों के लिए कोई प्रभावी उपचार विकल्प नहीं हैं। गुरुवार 10 सितंबर 2015 को DARPA की रिस्टोरिंग एक्टिव मेमोरी (RAM) कार्यक्रम ने सेंट लुइस में वेट, व्हाट पर अपने शुरुआती निष्कर्ष प्रस्तुत किए? एक भविष्य प्रौद्योगिकी फोरम।

कार्यक्रम प्रबंधक जस्टिन सांचेज ने कुछ अलग-अलग कार्यक्रमों के उद्देश्यों पर चर्चा की, जो एक साथ टीबीआई या अन्य न्यूरोलॉजिकल रोगों के कारण होने वाली स्मृति घाटे से पीड़ित लोगों के लिए समझ और उपचार के विकल्पों में सुधार कर सकते हैं। सांचेज़ के अनुसार, प्रत्यारोपित विद्युत सरणियों ने कुछ दर्जन मानव स्वयंसेवकों में स्मृति स्कोर की मदद करने का कुछ वादा दिखाया। विषयों को मस्तिष्क की शल्यचिकित्सा के दौर से गुजरने वाली मस्तिष्क संबंधी समस्याओं से गुजरना पड़ा जो स्मृति हानि से संबंधित थीं और उनकी सर्जरी के दौरान प्रत्यारोपित इलेक्ट्रोड सरणियों को स्वेच्छा से किया गया था। सरणियों को मस्तिष्क के क्षेत्रों में रखा जाता है जो स्मृति के प्रकार के निर्माण में भागीदारी को जानते हैं जो हमें सूचियों, स्थानिक स्मृति और नेविगेशन को याद करने की अनुमति देते हैं।

इस कार्यक्रम का लक्ष्य शोधकर्ताओं को यादों के निर्माण में शामिल तंत्रिका प्रक्रियाओं को समझने की क्षमता प्रदान करने के साथ-साथ उनकी पुनर्प्राप्ति भी है। वे तब भी भविष्यवाणी करने में सक्षम हो सकते हैं जब एक स्वयंसेवक याद में गलत करेगा। इलेक्ट्रोड सरणियां विशिष्ट तंत्रिका समूहों को संकेत भेजने के लिए एक एवेन्यू भी प्रदान करती हैं जो कि याद की सटीकता को सकारात्मक रूप से प्रभावित कर सकती हैं।

प्रारंभिक परिणामों ने संकेत दिया कि स्मृति प्रसंस्करण और पुनर्प्राप्ति के दौरान मस्तिष्क से तंत्रिका कोडिंग को पकड़ना और समझना संभव है। इससे भी बेहतर यह है कि इम्प्लांटेबल न्यूरो-टेक्नोलॉज़ी का उपयोग करके स्मरण में सुधार के लिए लक्षित विद्युत उत्तेजना का उपयोग किया जा सकता है। सांचेज़ के अनुसार ये प्रारंभिक निष्कर्ष भविष्य में स्मृति के साथ मदद करने की काफी संभावनाएं दिखाते हैं।

[छवि स्रोत: विकिपीडिया, इलेक्ट्रोड सरणी]

अभी शोध दल उत्तेजना के समय के बारे में सीख रहे हैं। यह अभी तक समझ नहीं आया है कि उत्तेजना को मेमोरी रिकॉल या सीखने और प्रसंस्करण के चरण के दौरान निष्पादित किया जाना चाहिए। संबंधित कार्यों में DARPA को एक नए तकनीकी विकास की शुरुआत करने के लिए तैयार किया गया है, जो न केवल लोगों को सूचियों को बेहतर ढंग से याद करने में मदद करेगा, बल्कि अन्य शारीरिक कौशल सीखने में उनकी मदद करेगा।

वेकेशन और स्लीप साइकल में मेंटल और फिजिकल रीप्ले शारीरिक अभ्यास जितना ही महत्वपूर्ण साबित हुआ है। DARPA का रैम रिप्ले कार्यक्रम अक्टूबर 2015 से शुरू हो रहा है। इसका उद्देश्य प्रत्यक्ष तंत्रिका और शारीरिक इंटरफेस, पर्यावरण संकेतों और नींद / जागने के चक्रों के अध्ययन के माध्यम से पुनरावृत्ति प्रक्रिया के बारे में सच्चाई को उजागर करना है। अध्ययन एपिसोडिक यादों और नए सीखा कौशल के विलय में फिर से खेलना की भूमिका निर्धारित करता है और भविष्य के कार्य प्रदर्शन के दौरान इन्हें कैसे याद किया जाता है और कैसे उपयोग किया जाता है।

उभरते हुए उपचारों (SUBNETS) के लिए DARPA सिस्टम-आधारित न्यूरो-प्रौद्योगिकी का उद्देश्य पोस्ट अभिघातजन्य तनाव विकार (PTSD) और अन्य न्यूरो-मनोरोग स्थितियों से राहत प्रदान करना है। एक वर्ष के बाद, लॉरेंस लिवरमोर नेशनल लेबोरेटरी और ड्रेपर प्रयोगशाला इंजीनियरों ने अनुकूलित इलेक्ट्रोड सरणियों और लघु तंत्रिका इंटरफ़ेस हार्डवेयर प्रोटोटाइप का उत्पादन किया। ये मस्तिष्क के कामकाज को बहाल करने वाली प्रतिक्रिया के सटीक वितरण के लिए मस्तिष्क के संकेतों और नए सर्किट्री को बढ़ाने और व्याख्या करने में पूरी तरह से आरोपित हार्डवेयर हैं।

कैलिफोर्निया विश्वविद्यालय और सैन फ्रांसिस्को विश्वविद्यालय के शोधकर्ता असाध्य न्यूरोलॉजिकल समस्याओं की मदद करने के लिए भी अध्ययन कर रहे हैं। उनके पहले नैदानिक ​​परीक्षण में सात मरीज शामिल थे। ऐरे को उनके दिमाग पर रखा गया और चयनित क्षेत्रों को विद्युत उत्तेजना प्रदान की गई, जिसके परिणामस्वरूप चिंता का स्तर सफलतापूर्वक कम हो गया।

बेवर्ली स्टार्ट द्वारा लिखित


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